没什么悬念了,华为在松山湖建了自己的一个fab,有2台ASML的1980i光刻机(这两台来自武汉弘芯),芯片是四次曝光做出来的,初期良率很低,但是现在经过不断的改进,良率已经大幅提升了,现在能有70%。当然华为的产能不够用的话(现在2台每年的产能也就是3000万左右,除了手机还有服务器的昇腾鲲鹏要用,再加上WiFi芯片蓝牙芯片等等一系列小芯片,这点产能连塞牙缝的都不够),中芯南方和中芯京城加起来还有10台1980i,再加上中芯上海,1980i有16台,产能管够,但是上海那边的产能中芯有别的用,不太可能开放给华为。据说华为的技术人员正在深度联调,尽早占满这些产能。
未来的麒麟9100估计是采用5次或者6次曝光,晶体管密度勉强能追上台积电N7+,能效处于N7+和N5之间,良率估计一开始还是40%,经过逐步的研发可能会提升到70%。一般业界不会曝光这么多次,曝光越多越难对齐,最后的良率越低,芯片成本越高。但是华为暂时没有EUV光源,所以只能继续堆曝光次数来满足更高的晶体管密度。
按照某科研机构的消息,国内第一款EUV光源量产也就是2025-2026年左右,也就还有3年时间。拿着1980i堆曝光次数和其他优化法苟完这三年没什么问题。但是一旦华为拿到EUV光源一切问题就迎刃而解,可以针对现有的1980i进行改造,改造完成之后就可以量产EUV芯片了,之后就可以继续苟,苟到2028-2030年全国产EUV光刻机量产。EUV光刻机解决了卡脖子问题之后,那时候麒麟芯片就要所向披靡了。同时苹果和台积电又是神助攻,台积电N3难产、N3B和N4乃至N5P都没什么进步,苹果A17的CPU大核因为是一个世代的因此能效可以认为同制程同能效,因此可以看出台积电N3B相比N5P几乎没什么提升。这简直是天助大陆,因为N5P是2021年的老同志了。
现在的海思是根正苗红的IDM。
并且这次华为能够突破麒麟芯片,来自台湾成功大学的梁孟松博士居功至伟。它在华为的松山湖工厂的内部除了1980i以外其他凡是卡脖子的地方都解决这方面出了非常大的力气。而且梁博士现在是在刀尖上跳舞,现在大陆暂时依然没有先进光刻机的情况下要突破更高制程,需要梁博士出力啊。本来多次曝光良率非常低,但是据我了解松山湖工厂的良率突破,梁博士在里面发挥了非常大的作用。
此外也别再骂mate60缺货了,目前麒麟9000S的量产基本上全靠松山湖工厂。中芯的技术暂时和华为自己的不兼容,因此华为正在和中芯深度联调,但是反正现在用不上。 |