如何看待美国造出了 0.7nm 光刻机，精度远高于 EUV 光刻系统？

美国公司Zyvex使用电子束光刻技术制造了768皮米，也就是0.7nm的芯片。


Zyvex推出的光刻系统名为ZyvexLitho1，基于STM扫描隧道显微镜，使用的是EBL电子束光刻方式，制造出了0.7nm线宽的芯片，这个精度是远高于EUV光刻系统的，相当于2个硅原子的宽度，是当前制造精度最高的光刻系统。这个光刻机制造出来的芯片主要是用于量子计算机，可以制造出高精度的固态量子器件，以及纳米器件及材料，对量子计算机来说精度非常重要。

吓了我一跳，还以为现代物理学和美国信誉今天要死一个，没想到美国重新定义了光刻机。。。

看见这个问题的时候说实话，我是非震惊的，并不是来源于美国的高科技以及美国强大的实力。
而是这个消息让我看见了一件事，今天量子物理的基础和米国外星科技必须死一个了。
为什么这么说呢？这里面涉及到一个量子物理关于粒子的特性-量子隧穿。
所谓集成电路简单点来说就是，你日常打电话发信息不是要电线么？电线作用是什么？导电啊？导电是什么？让电线里面的电子定向动起来啊！
集成电路基础原理也是这样，在芯片上划几道道道，让电子按道道的路径走，只是相比电线粗犷的像洪水一样电流，集成电路上的电子就细的像单个水分子一样流过。
好的重点来了，电子作为一个至今物理学家也无法完全弄懂的存在，它有一个非常难搞的特性-隧穿效应。这啥意思呢？就是划一条道让电子走的墙壁要厚到一定程度它才会按你的方向走，要是薄了电子会嗖的一下穿过墙壁跑另一边去了，啥办法都拦不住的，所以理论上来说5nm的厚度电子就开始隧穿了，而1nm的厚度对电子来说存在不存在的意义都不大了，随便穿了都，这和用什么材料都没关系。
宏观上来看就是你套电线皮薄了，是一定会漏电的，到时候串联变并联直接短路烧电板了都，这玩意儿目前是物理学无解的领域。
所以你要是搞出个0.7nm的墙还能让里面的电子老老实实按规划的走，这要是真的，等于这家公司成功的重塑了现在物理学的基础，把一众量子力学大师摁在地上锤了都。
这要是真的，下一步就是空手捏人，时空穿越了。
所以要么现在的量子物理学死了，要么美国已经是神级文明了。当然我还是非常期待打脸的，毕竟这可是全人类的进步啊～～～
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好了不逗大家了，我虽然调侃量子物理基础和米国外星科技必须死一个，但其实啊，他们可以共存的，前提是死一群逢美必夸的狗罢了。原文我看了，说白了这东西还没成品，只是弄了个噱头，然后引资的，别人原话都是现在给钱可以在6个月以后拿到机器，也就是说这东西和恒大PPT造车一样，理论上是可行，可实际还啥玩意儿都没有呢。
结果一帮狗就吹成成品，吹成成品就算了，还吹芯片都已经出来了，我只是看不惯就怼了。至于争论什么势能高就能阻止的，大家笑笑就行了，这篇文章除了打脸以外就当科普了，免得总有啥都不知道就跑来造谣的弱智。
当然你们继续造谣也不错，总有一天你们会逼着米国技术爆炸或者基础爆炸二选一的。

这算不算偷换概念，EBL嘛，电子束光刻嘛，也不算什么新东西，你算一下电子的德布罗意波长多少啊，0.1225nm啊，这不比EUV的软x射线13.5nm小多了。
EBL比起传统光刻，我倒是觉得更接近扫描电镜了，结构完全不一样啦，镜头应该都使用电磁场来代替光学透镜了，无论是反射式还是折射式。参照电镜的分辨率，按理来讲实验室应该有很多能够刻出零点几纳米的成果啊。虽然没怎么关心过相关研究。

电子束光刻不是新技术，目前主要用来做掩模版/光罩 ，取代不了光刻机，如果说现在的光刻机是照相的话，电子束光刻就是手绘，大批量生产制造不现实，这是关键。
大家都说光刻机，其实更准确的应该说是曝光机，原理就跟单反差不多，简单说就是把光刻胶图到基板上，然后放上掩膜，一曝光紫外线就把图像转移到光刻胶图层上，然后经过显影未曝光部分溶解，没有收到光刻胶图层保护的部分就被蚀刻了，这就是光刻的过程，其实关键是曝光，跟相机一样。


既然是曝光来的，那精细度就跟曝光光源的波长有很大关系，EUV就是极紫外光，波长13.5nm。



电子束的优势就是它的波长跟能量有关，可以做到非常小，所以可以更精细，所以0.7nm也没问题，但是，最大的问题来了，想想现在的芯片面积，用电子束它逐行扫描太慢了，长时间这样还容易出偏差。


EUV就像个复印机，刷刷刷很快就印完了，电子束光刻差不多就是手绘，虽然更精细但是出一个很慢。
比如苹果说一年能卖1亿部手机，需要一亿颗芯片，要是换成电子束光刻机，生产到2030年也生产不完，谁承受得了，所以这东西只适合科研不适合大批量的工业生产。

这两者本来就不在一个赛道上吧，这就好比说：大众研发出新一代汽车，最高时速远高于当前最先进的电动轮椅。
怎么现在的米国新闻也开始流行“赢麻体”么。