一张嘴就是槽点。
根本不存在所谓的7nm光刻机,直接把光刻机说成是7nm、14nm、28nm都是有问题的。
光刻机应该是按照光源波长来划分:
用436nm光源的是g-line光刻机,
用365nm光源的是i-line光刻机,上海微电子的 SSX600扫描式光刻机就是这个类型,
用248nm光源的是KrF光刻机,
用193nm深紫外光光源的是DUV光刻机了,DUV光刻机分为ArF干法光刻机和ArFi浸润式光刻机,
用13.5nm极紫外光光源的就是EUV光刻机了,
所以, 所谓的28nm光刻机、14nm光刻机,7nm 光刻机原则来说都是错误的说法, 其实是想表 达该光刻机的最大芯片制造精度。
就像同样是193nm波长的DUV光刻机, 荷兰ASML最高能制造7nm, 而尼康的就做不到,因为光刻机是一个系统集成的高精尖设备, 从光源到物镜到曝光系统到操作台, 每一个环节都需要极高精度要求。
而除了光刻机本身,芯片代工企业的加工技术也是一门大学问, 比如同样是能拿到ASML最新的光刻机,台积电的制造 工艺一直吊打三星和英特尔。台积电能用ASML的NXT1950i DUV制造7nm,而中芯国际用更新的NXT2000i DUV只能造14nm,而且良品率和成本还没有优势。
值得注意的是,由于美国主导的瓦森纳协定,ASML的新DUV(NXT2050i等)和所有的EUV对中国是禁售的。
中国02专项就包括制造和集成193nm光源的ArFi 浸润式前道DUV光刻机,只不过用ASML的DUV能 制造出7nm芯片,我们的目标是先能造出28nm, 毕竟从0到1才是最难的,然后再慢慢来吧 |