都说固态硬盘寿命短，那么有谁把使用寿命用完了吗？

都说固态硬盘寿命短，那么有谁把使用寿命用完了么？或者说用完之后的表现是什么？寿命快用完之前有什么表现？

目前有两类人可以明确的把固态用完，一类是苹果的macbook air M1 8G内存用户，由于内存过小，会频繁的使用固态作为缓冲区，请自行搜索相关的新闻和讨论。另一类是特斯拉用户，自带的存储固态只有64G(经指正，实际上是8G)，从最开始上市至今也有好几年时间了(从最开始算，不要从国产时间算)，在行车记录仪的反复蹂躏下就逐渐到寿。近两年就有特斯拉因为闪存到寿召回的，已经有几个批次了，更换闪存。
至于是什么表显，就是记录数据出错，0变1或者1变0，比较保守的厂家(Intel)会有个硬寿命，到了就锁死硬盘，变成只读模式，强迫用户换硬盘。

有 早期特斯拉车主 大面积的车机死机源于8G 闪存经过几年的高强度读写，寿命到了 哈哈哈

2022-9-27追加
appReadWriteCounter 又立功了, 昨天打开它就出差了一天, 今天早上一看, 昨天一天, 阿里这个狗都不曰的又在不要命的写硬盘. pc-sdk-setup.exe这个进程, 所谓的阿里安全服务, 昨日一天写硬盘高达14G.
在这里说明一下, 本人一直以来都是知乎小透明, 看到这个提问随口一答, 没想到小火了一把, 诚惶诚恐. 并对评论区一些回应:

• 有关答非所问. 提问者是问有谁把使用寿命用完了么, 我回答说有TIM这个bug在, 如果我不发现, 3 个月就能写完理论寿命. 也不能算是太答非所问吧.
  
• 还有很多朋友问如何查写入. 我不知道他们问的写入是指哪一个写入.(1) 如果是查硬盘的总写入, 我用的是三星SSD, 则可以安装三星魔法师软件, 一打开就显示硬盘总写入. 或者用CrystalDiskInfo之类的软件查看. (2) 当前实时写入. [任务管理器]-[性能]选项卡, 点对应磁盘, 能看到实时读取和写入, 左下角点打开资源管理器, [磁盘]选项卡, 可看到每个进程实时读写, 以及对应针对某个文件的实时读写.  当然, 有必要拿出我推荐的大杀器"appReadWriteCounter". 不但可以显示每一个进程的实时读写, 还能统计从"appReadWriteCounter"打开以来, 每一个进程累计读写. 谁是写硬盘的罪魁祸首, 一目了然.
  

如图, 我的新硬盘, 用了一年多, 总写入9.4T



资源监视器 可以看到每个进程/每个文件的读写



appReadWriteCounter 可以看到这该死的阿里, 一天就写了我1.4G, 哦不, 1.5G, 就在我写一段文字的期间, 又写了100M.

以下原答案:
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2年前, 我主硬盘是一个256G的三星SSD. 而且我从来不关机.
直到有一天我发现, 才用了3个月, 写入量已经超过15T. 不对呀, 半个月前我才看的才2T.
后来下载了一个软件"appReadWriteCounter", 监控每个程序的写入, 发现罪魁祸首就是TM(所谓QQ的办公版，应该叫TIM，我记得以前叫TM的), 以每分钟2G的速度不停在写硬盘, 从不断歇. 不知道在写些什么东西. 后面改用QQ后, 问题解决.
要是我没有发现的话, 估计3个月就能过保(150TBW).

我的工作是做操作系统存储驱动相关的东西，包括文件系统、存储驱动、USB都接触过，把盘写坏了的事情还是遇到过不少次的。
如果把写坏的盘做一个汇总，可以总结以下几个特点：
1. 基本上都是不出名的小厂的盘，大厂尤其是Intel的盘在压力测试下也没出过问题，Intel的盘不仅耐用，并且掉电丢数据的情况也很少。
2. 新产品更容易坏，比如NVMe刚出来的时候，各种杂牌子的盘很多，坏的也多，但过了一段时间以后，NVMe的稳定性比第一批盘要好。这个规则也适用于SATA-SSD（以下简称SSD），但是因为SSD已经比较成熟了，所以SSD的问题相对于NVMe来说要少一些。
3. 操作系统上层操作很难写坏一个盘，因为盘自身带缓存，解决方法是发送硬件的flush(SYNC)命令，并且不要使用TRIM命令。
早年（大概8年前）SSD刚开始普及的时候，杂牌子的SSD比较多，国外客户更是什么样的盘都有，寄过来一些故障盘，发现在持续烤机一段时间（大概一个月）以后，性能开始下降，文件系统（RTOS上的）性能从200MB/s左右下降到不到100MB/s，这个时候盘已经快要坏了，大版本release测试的时候发现性能有下降，会用不同的盘测一下，如果是某个特定的盘的问题，那么就会把这个盘从测试环境里取出来，不再继续使用。这些盘年代久远，印象不太深刻。
我印象深刻的是两年前我写坏过一个NVMe盘，盘不是我买的，但是因为我们文件系统的性能距离官方数据有一定差距，并且想研究一下TRIM(DISCARD)的影响，我就拿过来研究了一下（顺便说一下，有几个回答里有人提到过这个品牌，这个品牌名声一般）。为了避免硬件缓存的影响，我每次测试之前，会全盘写一遍0x55，再写一遍0xAA，每写一段就发一个SYNC命令，这样能迫使硬件缓存完全失效，并且会完全消耗一次PE次数。写完一遍55/AA之后，再进行后续性能测试（以每次256KB的数据块写2GB的内容）。
这个NVMe盘（PCI-E）裸写的速度大概是700-800MB/s，在我反复擦写0x55/0xAA大概5次左右的时候，盘的写速度突然掉到200MB/s，之后一直就保持在这个速度上了。
基本上可以认为这个盘已经坏了。
评论有人说SSD跟NVMe是一种东西，不应该这么比，我回答里的SSD特指SATA-SSD，二者的主控并不一样，NVMe刚流行的那两年，因为主控问题导致NVMe挂掉的盘很多，第一批NVMe的主控技术并不好。主控对闪存的性能和寿命影响是很大的。
<hr/>所以，要问固态盘快要坏了的时候是什么现象，那么首先可能遇到的是掉速问题，频繁擦写（尤其是写一轮55/AA）可能会导致固态盘的负载均衡算法失灵；也可能会零碎的丢失一些数据，但考虑到盘本身很大，如果不是像Chia那样P盘的话，未必能发现异常的数据块。
正常使用，尤其是用大厂的盘，一般不会有什么问题，我手头的Intel SSD 730 Series 240GB，是2014年买的，作为系统盘使用至今没有任何问题。但另外一块SanDisk的1T SSD，用了不到4年，已经有好几块坏快了（但还能用）。但是大厂的东西，贵是真的贵，一分钱一分货，十分钱两分货。
<hr/>写废盘的测试流程（注：绕过文件系统，直接操作驱动）：
1. 申请256KB的固定缓存；
2. 缓存填充0x55，从第一个扇区写到最后一个扇区；
2.1. 每写完1G，发送一次硬件Flush命令（NVMe：Flush Cmd 0x00，SATA：ATA_CMD_FLUSH 0xE7/0xEA）
3. 缓存填充0xAA，从第一个扇区写到最后一个扇区；
3.1. 每写完1G，发送一次硬件Flush命令（同上）
4. 准备1-2GB的内存，按偏移量对0x100求余填充数据
5. 计时，写入数据，计算性能
6. 计时，读取数据，计算性能，校验
7. 发送Flush命令，并重复4-6步骤多次（>5）求平均数

我们把企业用的那种ssd写坏了，牛x不？
一切源于EMC的一个BUG，技术细节说的太细估计也没有用，我就尽可能简单的描述一下这个问题。
大概就是两个写入指令从不同的path过来之后磁盘阵列的主控会傻掉，会对着一个地方反反复复的写，最终把这个块写坏掉，这个问题只对16TB以上的LUN（你可以理解成分区）才会有，19年还是20年的事。
表现的话就是VMDK文件一部分读不出来。
解决办法就是先把虚拟机storage vmotion移动出去，重新把LUN弄到16TB以下，然后再移动回来。
EMC派了二十来个人干了俩个多月，场面极其欢乐。